產品資訊 - Sapphire wafer 2 inch DSP/SSP C-plane/ R-plane/ M-plane/ A-plane->IC semiconductor crystal processing

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Helios New Materials Limited

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2寸蓝宝石单抛/双抛LED衬底/晶片晶向 R向/C向/M向/A向

產品分類 :

資訊科技->其他->半導體晶片加工

Sapphire wafer 2 inch DSP/SSP C-plane/ R-plane/ M-plane/ A-plane

產品規格

Model No:	SP-02

Country	CN
Brand	helios
Materials	sapphire
Size	50.8 millimeters
Packing	Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging
Minimum Order	25
Payment Term	T/T

產品描述

蓝宝石为六方晶格结构，很多特性便是由其晶向决定的。通过外延晶膜生长，不同的晶向将呈现不同的晶格与目标材料匹配。蓝宝石有一定的双折射特性，特殊的结晶轴被用于一些光学领域，比如极化基底：
C型切面的蓝宝石基底被用于生长III-V 与II-VI族沉积薄膜，比如氮化镓，可以产出蓝色的LED产品、激光二极管以及红外线探测仪的应用。
A型基底产生统一的电容率/介质，并且高度绝缘被应用于混合微电子技术中。高温的超导体可由A型基底长晶产生。
R型基底生长的不同沉积的硅料外延长晶，被应用于微电子集成电路。蓝宝石由于其高电容率的特性，是混合基底的最佳选择，例如在微波集成电路中的应用。此外，在对外延硅生长制膜的过程中，还可以形成高速的集成电路和压力传感器。在制作砣、其它超导组件、高阻电阻器、砷化镓时亦可应用R型基底生长。
M、A、R型均可生长非极性或半极性的氮化镓。蓝宝石作为商业产品仍然需要大量的研究提高氮化镓磊晶的材料品质。

规格:

Material not less than 99.999%, High Purity, Al2O3

Orientation
C-axis (0001)
M-axis (1010)
R-axis (1102)
A-axis (1120)

Diameter 50.8 +/- 0.1mm

Thickness
400 +/- 25um
430 +/- 25um

Primary Flat Orientation A-Plane +/- 0.1 degree

Surface roughness
Front Side: Epi Polished, Ra less than 0.2nm
Back Side: Epi Polished, Ra less than 0.2nm (SSP)
Fine ground Ra 0.8-1.2um (DSP)

TTV less than 10 um
BOW less than 10 um
Warp less than 10 um

Class 100 Clean room cleaning and vacuum nitrogen packaging.
25 pcs in each cassette.

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